相変化ナノ粒子を含む相変化物質層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 宇谷勝幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005348039
Publication number (International publication number)：2006165553
Application date： Dec. 01, 2005
Publication date： Jun. 22, 2006
Summary：

【課題】相変化ナノ粒子を含む相変化物質層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】相互に対向配置される第1電極40及び第2電極48と、第1電極と第2電極との間に介在されるものであって、相変化ナノ粒子を含む相変化物質層46と、第1電極に電気的に連結されるスイッチング素子30と、を備える相変化メモリ素子である。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

相互に対向配置される第1電極及び第2電極と、前記第1電極と第2電極との間に介在されるものであって、相変化ナノ粒子を含む相変化物質層と、前記第1電極に電気的に連結されるスイッチング素子と、を備えることを特徴とする相変化メモリ素子。

IPC (3)：

H01L 27/105 , H01L 45/00 , G11C 13/00

FI (3)：

H01L27/10 448 , H01L45/00 A , G11C13/00 A

F-Term (3)：

5F083FZ10 , 5F083JA60 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

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