薄膜サーミスタおよびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西川惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998078648
Publication number (International publication number)：1999273907
Application date： Mar. 26, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】B定数を大きくしながらも1/fノイズが少なく且つ導電率が高く、結果的に小型で高S/N比が得られる薄膜サーミスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】薄膜サーミスタは、p形a-SiC:H薄膜よりなるサーミスタ素子8の厚み方向の両面にそれぞれCrよりなる下部電極11aとCrよりなる上部電極11bが形成される。p形a-SiC:H薄膜は、プラズマCVD法により形成される。原料ガスはモノシランとメタンとを用い、ドーパントガスとしてジボランを用いる。p形a-SiC:H薄膜は、堆積速度が供給律速となり、且つ、プラズマダメージが比較的少なくなるような高周波電力を印加することによって形成する。薄膜中に未分解で取り込まれるCHX (X=1,2,3)の量を完全に分解されて取り込まれたCに対して少なくすることが望ましい。

Claim (excerpt)：

アモルファス半導体薄膜よりなる半導体抵抗層に電極を設けた薄膜サーミスタであって、前記半導体抵抗層を構成する主原子は、不純物原子若しくは不純物分子が結合された主原子の割合が42.5%以下であることを特徴とする薄膜サーミスタ。

IPC (4)：

H01C 7/02 , G01J 5/02 , H01C 7/04 , H01L 21/205

FI (4)：

H01C 7/02 , G01J 5/02 C , H01C 7/04 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置及び赤外線検出素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-288297 Applicant：松下電工株式会社
薄膜サーミスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-007837 Applicant：松下電工株式会社

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