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J-GLOBAL ID：200903098157360219

フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物

Inventor：
舩木 克典

About 舩木 克典

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堤 聖晴

About 堤 聖晴

, 
宝来 晃

About 宝来 晃


Applicant, Patent owner：
ダイセル化学工業株式会社

About ダイセル化学工業株式会社


Agent (1)： 後藤 幸久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000024527
Publication number (International publication number)：2001215703
Application date： Feb. 01, 2000
Publication date： Aug. 10, 2001
Summary：
【要約】【課題】 基板に対する密着性に優れ、且つ微細なパターンを精度よく形成できるフォトレジスト用高分子化合物を得る。【解決手段】 下記式(I)【化1】で表されるモノマー単位を含むフォトレジスト用高分子化合物。該高分子化合物は、さらに下記式(IIa)〜(IIg)【化2】(式中、R1、R13、R14、R15は水素原子又はメチル基を示し、R2及びR3は炭素数1〜8の炭化水素基を示し、R4、R5及びR6は水素原子、ヒドロキシル基又はメチル基を示す。R7及びR8は水素原子、ヒドロキシル基又は-COOR9基を示し、R9はt-ブチル基、2-テトラヒドロピラニル基等を示す。R10及びR11は水素原子、ヒドロキシル基又はオキソ基を示す。R12は、式中に示される酸素原子との結合部位に第3級炭素原子を有する炭化水素基を示す。R16はt-ブチル基、2-テトラヒドロピラニル基等を示す。nは1〜3の整数を示す)から選択された少なくとも1種のモノマー単位を含んでいてもよい。
Claim (excerpt)：
下記式(I)【化1】で表されるモノマー単位を含むフォトレジスト用高分子化合物。
IPC (7)：
G03F 7/039 501 ,  C08F 18/00 ,  C08F 20/10 ,  C08F 22/06 ,  C08F 32/00 ,  G03F 7/027 502 ,  H01L 21/027
FI (7)：
G03F 7/039 501 ,  C08F 18/00 ,  C08F 20/10 ,  C08F 22/06 ,  C08F 32/00 ,  G03F 7/027 502 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (38)：
2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC05 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AJ02R ,  4J100AK32R ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AR11Q ,  4J100AR11R ,  4J100AR32P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA11P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15Q ,  4J100BA15R ,  4J100BA16R ,  4J100BA20Q ,  4J100BA20R ,  4J100BC07R ,  4J100BC08R ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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