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J-GLOBAL ID：200903033926480260

不揮発性半導体記憶装置

Inventor：
清水 和裕

About 清水 和裕

, 
有留 誠一

About 有留 誠一


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997325945
Publication number (International publication number)：1999163303
Application date： Nov. 27, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：
【要約】【課題】 微細、高集積で、素子分離能力に優れ、寄生抵抗、容量の小さいたフラッシュメモリを提供する。【解決手段】 SOI基板上にNAND型フラッシュEEPROMが形成される。素子領域(活性層)は、格子パターンで、その間の溝は、絶縁材により埋め込まれる。ロウ方向の素子同士は、完全に絶縁材により分離される。メモリセルが形成されるシリコン薄膜は、微量のn型不純物を含み、真性半導体に近い。周辺回路や選択ゲートトランジスタが形成されるシリコン薄膜は、p型である。メモリセル及び選択ゲートトランジスタの拡散層は、n型である。NANDストリングを構成する各メモリセルのチャネルは、しきい値の異なる少なくとも2つの領域から構成される。
Claim (excerpt)：
絶縁層上に形成された活性層と、前記活性層に形成されるメモリセルアレイとを具備し、前記メモリセルアレイは、互いに直列接続された複数のメモリセルトランジスタからなるNANDストリングがマトリクス状に配置されてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (6)：
H01L 27/115 ,  G11C 16/04 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/786
FI (4)：
H01L 27/10 434 ,  G11C 17/00 622 E ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 618 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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