不揮発性半導体記憶装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996070133
Publication number (International publication number)：1997260617
Application date： Mar. 26, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】素子分離能力を落とすことなく、ワード線を共有化した隣り合うメモリセル間の素子分離幅を縮少することができ、メモリセルアレイの集積度向上をはかる。【解決手段】半導体基板1上に浮遊ゲート14と制御ゲート16を積層したトランジスタからなるメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置において、メモリセルを複数個集積してなるセルアレイ部Bは、Si基板1上に絶縁膜3を介して形成された単結晶Si層4に形成され、セルアレイ部以外の周辺回路部Aは、Si基板1に直接形成されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に電荷蓄積層と制御ゲートを積層したトランジスタからなるメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセルを複数個集積してなるセルアレイ部は、前記半導体基板上に絶縁膜を介して形成された単結晶半導体層に形成され、セルアレイ部以外の周辺回路部は、前記半導体基板に直接形成されてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2)：

H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平2-097056
不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-310644 Applicant：日本電装株式会社
不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-139094 Applicant：新日本製鐵株式会社

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