半導体ガスセンサ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西川惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997306154
Publication number (International publication number)：1999142356
Application date： Nov. 07, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】消費電力を低減した半導体ガスセンサを提供する。【解決手段】感ガス体1はSnO2 から略球状に形成され、その最大外形寸法は略0.8mmに形成されている。コイル状のヒータ兼用電極2は白金からなり、感ガス体1内に埋設される。また、白金電極4がヒータ兼用電極2の中心を貫通するように感ガス体1内に埋設される。第1のフィルタ層5はAl2 O3 にW、Mo、又はVのいずれかを添加して形成され、感ガス体1の表面に形成される。第2のフィルタ層6はAl2 O3 にPt又はPdのいずれかを添加して形成され、第1のフィルタ層5の表面に形成される。

Claim (excerpt)：

ガスを吸着することによって電気抵抗が変化する外形寸法が略0.8mm以下の略球状の感ガス体と、感ガス体中に埋設されたコイル状の白金からなるヒータ兼用電極と、ヒータ兼用電極のコイルの中心を貫通するように感ガス体中に埋設された白金電極と、感ガス体の表面に形成された雑ガスを除去するフィルタ層とを備えて成ることを特徴とする半導体ガスセンサ。

FI (3)：

G01N 27/12 A , G01N 27/12 B , G01N 27/12 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (31)

ガスセンサ及びガス検知方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-336674 Applicant：エフアイエス株式会社
半導体式アンモニアガスセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-208374 Applicant：新コスモス電機株式会社
半導体式ガスセンサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-329291 Applicant：エフアイエス株式会社

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