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J-GLOBAL ID：200903034018479190

半導体素子接着用シリコーンエラストマーフィルム状成形物及びそれを用いた半導体装置

Inventor：
沖之島 弘茂

About 沖之島 弘茂

, 
柏木 努

About 柏木 努


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (1)： 岩見谷 周志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999148403
Publication number (International publication number)：2000336271
Application date： May. 27, 1999
Publication date： Dec. 05, 2000
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 均一膜厚及び形状、低温から高温に亘り低弾性を維持し、耐熱性を有しながら、作業性、生産性及び組成物加工性に優れ、硬化後、充分な接着性が得られる半導体素子接着用シリコーンエラストマーフィルム状成形物。【解決手段】 A) 少なくとも2個のビニル基を有するジオルガノポリシロキサン、B)レジン構造オルガノポリシロキサン、C)少なくとも1個の≡SiOR2基(R2は非置換又はアルコキシ置換のアルキル基)及び少なくとも2個の-Si(R3)2H基(R3は一価炭化水素基)を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、及びD) 白金族金属系触媒を含む付加反応硬化型オルガノポリシロキサン組成物を室温以上100°C未満で硬化、成形した厚さ10〜1,000μmである半導体素子接着用エラストマーフィルム状成形物1、並びにフィルム状成形物を基板3と半導体素子間に挟み、100〜250°Cで圧着、加熱して、基板、フィルム状成形物及び半導体素子を一体的に接着する。
Claim (excerpt)：
(A) 1分子中に少なくとも2個のビニル基を有するジオルガノポリシロキサン、(B) SiO2単位、Vi(R1)2SiO0.5単位及び(R1)3SiO0.5単位(ここで、Viはビニル基、R1は脂肪族不飽和結合を含まない置換又は非置換の一価炭化水素基を表す)からなるレジン構造のオルガノポリシロキサン、(C) 1分子中に、少なくとも1個の≡SiOR2基(ここで、R2は非置換又はアルコキシ置換のアルキル基を表す)、及び少なくとも2個の-Si(R3)2H基(ここで、R3は一価炭化水素基を表す)を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、並びに(D) 白金族金属系触媒を含む付加反応硬化型オルガノポリシロキサン組成物を、室温以上100°C未満の低温で硬化、成形して得られた厚さが10〜1,000μmである半導体素子接着用エラストマーフィルム状成形物。
IPC (4)：
C08L 83/07 ,  C08J 5/18 CFH ,  C08L 83/05 ,  H01L 21/52
FI (4)：
C08L 83/07 ,  C08J 5/18 CFH ,  C08L 83/05 ,  H01L 21/52 E
F-Term (21)：
4F071AA67 ,  4F071AB11 ,  4F071AE03 ,  4F071AF20 ,  4F071AF58 ,  4F071AH12 ,  4F071BC01 ,  4F071CB06 ,  4F071CC02 ,  4F071CD01 ,  4F071CD03 ,  4J002CP043 ,  4J002CP141 ,  4J002CP142 ,  4J002DA116 ,  4J002DD076 ,  4J002FD206 ,  4J002GQ05 ,  5F047BA33 ,  5F047BA40 ,  5F047BB03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (2)

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