化合物半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995098633
Publication number (International publication number)：1996293643
Application date： Apr. 24, 1995
Publication date： Nov. 05, 1996
Summary：

【要約】【目的】化合物半導体発光素子の製造工程においてInの遊離を極力抑え、制御性に優れた結晶成長を可能とし、良質の活性層および活性層の界面を提供することを目的とする。【構成】 Inを含む活性層5の形成後、Inの遊離が生じない程度の温度で蒸発防止層6を形成する。蒸発防止層6としてp型AlX Ga1-X N(0≦X≦1)などが用いられる。上部クラッド層7を形成するため基板温度を1020°C程度の高温に上げても蒸発防止層6の存在により活性層5からInの遊離が生ずることがない。これによりInの組成比を制御することが容易となり、かつ良質の活性層および活性層の界面を提供することができる。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成された下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成されたInを含む活性層と、前記活性層上に形成された蒸発防止層と、前記蒸発防止層上に形成された上部クラッド層とを含む、化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

3-5族化合物半導体とその製造方法および発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-015228 Applicant：住友化学工業株式会社
窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-036250 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開平4-209577

Show all

Return to Previous Page