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J-GLOBAL ID:200903034086847440

多孔質体およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石井 和郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999256233
Publication number (International publication number):2000154273
Application date: Sep. 09, 1999
Publication date: Jun. 06, 2000
Summary:
【要約】【課題】 低密度で、平均孔径の小さな多孔質体およびその製造方法、ならびに断熱性の優れた断熱体および誘電性能に優れた絶縁体を有する半導体回路を提供すること。【解決手段】 ポリイミド系樹脂の乾燥ゲルからなり、みかけ密度が800kg/m3以下、平均孔径が1μm以下である多孔質体。
Claim (excerpt):
ポリイミド系樹脂の乾燥ゲルからなり、みかけ密度が800kg/m3以下、平均孔径が1μm以下である多孔質体。
IPC (5):
C08J 9/28 101 ,  C08J 9/36 CFG ,  C08L 79/08 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768
FI (5):
C08J 9/28 101 ,  C08J 9/36 CFG ,  C08L 79/08 A ,  H01L 21/312 B ,  H01L 21/90 S
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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