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J-GLOBAL ID：200903034111998237

銅裏面金属構造を備えるGaAs薄型ダイ

Inventor： エリオット、アレクサンダー ジェイ. ,  クローダー、ジェフリー デール ,  ミラー、モンテ ジーン
Applicant, Patent owner： フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
Agent (1)： 桑垣 衛
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004557131
Publication number (International publication number)：2006517054
Application date： Sep. 30, 2003
Publication date： Jul. 13, 2006
Summary：

薄型GaAs基板(310)に銅裏面金属層(340)を設けてGaAs基板を従来のプラスチックパッケージング技術を使用してパッケージングすることができるようにする。GaAs基板に銅裏面金属層を設けることにより、GaAs基板を2ミル(約50ミクロン)未満に薄くできるので、熱放散の問題を軽減することができ、かつ半導体ダイに軟質はんだ技術を適用することができる。プラスチックパッケージへの半導体ダイのパッケージングを可能にすることにより、コストを大きく減らすことができる。

Claim (excerpt)：

50ミクロン未満の厚さを有するGaAs基板であって、能動表面及び裏面を有するGaAs基板と、 前記裏面上に重なる拡散バリア層と、 銅を含み、かつ前記拡散バリア上に重なる裏面金属層と、 GaAs基板を封止するプラスチック製のダイパッケージとを含む半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/52 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41

FI (3)：

H01L21/52 A ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/44 L

F-Term (9)：

4M104AA05 ,  4M104BB04 ,  4M104BB09 ,  4M104BB32 ,  4M104FF02 ,  4M104FF18 ,  5F047AA11 ,  5F047BA06 ,  5F047CA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 樹脂封止型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-026711   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-123488   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-230436   Applicant：エヌイーシー化合物デバイス株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-044408   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平4-225536
  
• 特開平4-225536
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 200106, Vol.48, No.6, p1033-1036