Pat

J-GLOBAL ID：200903034117939887

SiC単結晶の成長方法

Inventor： シュタイン、ルネ ,  クーン、ハラルト ,  フェルクル、ヨハネス
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000560300
Publication number (International publication number)：2002520251
Application date： Jul. 01, 1999
Publication date： Jul. 09, 2002
Summary：

【要約】本方法は、SiC原料物質(30)の昇華により少なくとも1個の炭化ケイ素(SiC)単結晶(60)を成長させるために使用される。ケイ素(Si)、炭素(C)及びSiC種晶(40)を成長室(50)内に入れる。SiC原料物質をケイ素と炭素から、本来の成長に先立って行われる合成工程で製造する。SiC単結晶の成長をこの合成工程後に直ちに行う。炭素としては平均粒径10μm以上のC粉末(20)を使用する。

Claim (excerpt)：

少なくとも1個の炭化ケイ素(SiC)単結晶をSiC原料物質(30)の昇華により成長させる方法において、a)ケイ素(Si)、炭素(C)及びSiC種晶(40)を成長室(50)内に入れ、b)SiC原料物質(30)を、本来の成長に先立って行われるケイ素と炭素から合成する工程で製造し、c)この合成工程後、直ちにSiC単結晶(60)を成長させ、その際d)炭素として、粉粒の平均粒径が10μm以上のC粉末(20)を使用することを特徴とするSiC単結晶の成長方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00

FI (2)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00

F-Term (11)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA19 ,  4G077EA02 ,  4G077EA03 ,  4G077EC05 ,  4G077HA02 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 炭化珪素単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-104355   Applicant：シャープ株式会社
• 炭化ケイ素単結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-267687   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開平3-037195
  

Cited by examiner (3)

• 炭化珪素単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-104355   Applicant：シャープ株式会社
• 炭化ケイ素単結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-267687   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開平3-037195