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J-GLOBAL ID：200903034157344371
高耐圧半導体装置及びこの装置を用いた電力変換器
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
東島 隆治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997237511
Publication number (International publication number)：1999087698
Application date： Sep. 02, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】 高耐圧半導体装置におけるターミネーション部の専有面積を減らし高耐圧化を実現する。【解決手段】 半導体装置の主接合部1の周囲を取り囲むように複数のトレンチ9を形成し、各トレンチ9の底部とトレンチ9の間にそれぞれp+層あるいはショットキーコンタクトを設け、トレンチ底部p+層2とトレンチ間p+層3の間に空乏層が拡がるようにトレンチ間n-層4を設けてターミネーション部を構成する。
Claim (excerpt)：
半導体装置の第1の導電型の半導体層の一方の表面の一部分に形成された第2の導電型の第1の半導体層、前記第1の導電型の半導体層の前記一方の表面の前記第1の半導体層を有しない領域において、前記第1の半導体層との間に所定の間隔を保って前記半導体層の表面から所定の深さに底をもつ溝により隔てられて前記第1の半導体層を囲むように設けられた少なくとも1個の第2の導電型の第2の半導体層、隣りあう2つの第2の導電型の半導体層の間の前記溝の底部から前記第1の導電型の半導体層の内部に形成された第2の導電型の半導体領域、前記第1の半導体層に設けられた電極、及び前記第1の導電型の半導体層の他方の面に設けられた他の電極を有する高耐圧半導体装置。
FI (2)：
H01L 29/78 652 P
, H01L 29/78 653 A
Cited by examiner (5)
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