半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000012574
Publication number (International publication number)：2001203275
Application date： Jan. 21, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 2種以上の電源電圧を有する半導体装置において低電圧電界効果トランジスタの性能を維持したまま、高電圧で駆動する電界効果トランジスタのホットキャリア耐性を向上させる。【解決手段】高電圧nMISQN1および高電圧pMISQP1の形成領域に1つのパンチスルーストッパ用の半導体領域8a(8ap,8an)を形成し、低電圧nMISQN2および低電圧pMISQP2の形成領域に2つのパンチスルーストッパ用の半導体領域8a(8ap,8an),8b(8bp,8bn)を形成した。

Claim (excerpt)：

2種以上の電源電圧を有する半導体装置において、相対的に低い電源電圧で駆動する電界効果トランジスタにおいては、その電界効果トランジスタのチャネルと逆導電型の半導体領域を2重構造とし、相対的に高い電源電圧で駆動する電界効果トランジスタにおいては、その電界効果トランジスタのチャネルと逆導電型の半導体領域を1重構造としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/10 461 , H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (6)：

H01L 27/10 461 , H01L 27/08 102 B , H01L 27/04 U , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 616 V

F-Term (94)：

5F038BH20 , 5F038DF04 , 5F038DF05 , 5F038EZ06 , 5F038EZ18 , 5F040DA17 , 5F040DA18 , 5F040DB03 , 5F040DC01 , 5F040EB12 , 5F040EC01 , 5F040EC07 , 5F040EC13 , 5F040ED01 , 5F040ED05 , 5F040EF02 , 5F040EH02 , 5F040EH05 , 5F040EJ03 , 5F040EK01 , 5F040EK05 , 5F040EM01 , 5F040EM03 , 5F040FA05 , 5F040FA07 , 5F040FB02 , 5F048AA00 , 5F048AA05 , 5F048AA07 , 5F048AA09 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AB10 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB16 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF02 , 5F048BG12 , 5F048BG14 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F083GA19 , 5F083GA24 , 5F083GA28 , 5F083GA30 , 5F083HA02 , 5F083JA02 , 5F083JA04 , 5F083JA32 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA53 , 5F083JA56 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR21 , 5F083PR29 , 5F083PR36 , 5F083PR40 , 5F083ZA04 , 5F083ZA06 , 5F083ZA07 , 5F083ZA08 , 5F083ZA11 , 5F083ZA27 , 5F110AA13 , 5F110AA30 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110HJ13 , 5F110HK03 , 5F110HK33 , 5F110HL03 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN62 , 5F110NN66 , 5F110QQ04 , 5F110QQ16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-019066 Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-326518 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-066615 Applicant：松下電子工業株式会社

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