電源回路及び半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001364683
Publication number (International publication number)：2003168290
Application date： Nov. 29, 2001
Publication date： Jun. 13, 2003
Summary：

【要約】【課題】本発明は、外部電源電圧が低電圧な場合にも適切に内部降圧電位を発生する電源回路及び半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明による電源回路は、第1の電位を第2の電位と比較する第1のNMOS型のカレントミラー回路と、第1の電位を第3の電位と比較する第2のNMOS型のカレントミラー回路と、第1及び第2のNMOS型のカレントミラー回路の出力に基づいて第1の電位を設定する電位設定回路を含み、第2の電位と第3の電位の間に第1の電位が設定されるように制御する。

Claim (excerpt)：

第1の電位を第2の電位と比較する第1のNMOS型のカレントミラー回路と、該第1の電位を第3の電位と比較する第2のNMOS型のカレントミラー回路と、該第1及び第2のNMOS型のカレントミラー回路の出力に基づいて該第1の電位を設定する電位設定回路を含み、該第2の電位と該第3の電位の間に該第1の電位が設定されるように制御する電源回路。

IPC (5)：

G11C 11/407 , G05F 3/26 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H03K 19/00

FI (4)：

G05F 3/26 , H03K 19/00 A , G11C 11/34 354 F , H01L 27/04 G

F-Term (33)：

5F038AV06 , 5F038AV13 , 5F038BB01 , 5F038BG03 , 5F038BG06 , 5F038DF06 , 5F038DF08 , 5F038EZ20 , 5H420NA12 , 5H420NB02 , 5H420NB25 , 5H420NC02 , 5H420NE26 , 5J056BB17 , 5J056BB18 , 5J056BB49 , 5J056CC00 , 5J056CC02 , 5J056CC04 , 5J056DD13 , 5J056DD28 , 5J056EE11 , 5J056GG06 , 5M024AA02 , 5M024AA06 , 5M024BB29 , 5M024BB40 , 5M024FF02 , 5M024FF20 , 5M024HH01 , 5M024PP01 , 5M024PP03 , 5M024PP10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-092781 Applicant：富士通株式会社
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-175245 Applicant：三菱電機株式会社
特開平1-136361

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