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J-GLOBAL ID:200903034371685704

パルスヒート電源

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山川 政樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995131567
Publication number (International publication number):1996330050
Application date: May. 30, 1995
Publication date: Dec. 13, 1996
Summary:
【要約】【目的】 ヒータチップの振動を小さくし、制御の応答速度を速くする。【構成】 トランジスタ3a〜3dは、整流回路1及びコンデンサ2にて得られた直流電圧をオン/オフして交流電圧に変換する。この交流がトランス4を介してヒータチップ5に供給される。チップ5の温度は熱電対6によって電圧に変換され、スイッチ8からは設定温度に応じた電圧Vsが出力される。PWM制御回路9は、電圧Vs及び増幅器7の出力電圧Vfに基づき、トランジスタ3a〜3dがオン/オフする時間をチップ5の温度が設定温度になるように制御する。こうして、チップ5に流す電流の周波数を高くすることができるため、チップ5の振動を抑えることができ、制御の応答速度を速くできる。
Claim (excerpt):
トランスの2次側に接続されたパルスヒート式リフロソルダリング装置のヒータチップに電流を供給するパルスヒート電源において、入力交流電圧を直流電圧に整流する整流平滑回路と、この整流平滑回路で得られた直流電圧をスイッチングして前記トランスの1次側に供給する電流をオン/オフするスイッチング素子と、ヒータチップに取り付けられた熱電対の出力電圧を増幅する増幅器と、ヒータチップの設定温度に応じた電圧を出力する温度設定スイッチと、前記増幅器及び温度設定スイッチの出力に基づき、スイッチング素子のオン/オフする時間をヒータチップの温度が設定温度になるように制御するPWM制御回路とを有することを特徴とするパルスヒート電源。
IPC (2):
H05B 3/00 310 ,  H02M 7/48
FI (2):
H05B 3/00 310 ,  H02M 7/48 G
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • リフロボンディング装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-170650   Applicant:富士通株式会社
  • 特開平3-129412
  • 特開昭63-063568
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