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J-GLOBAL ID：200903034411264588
半導体発光素子及びその製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997363993
Publication number (International publication number)：1999177139
Application date： Dec. 16, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：
【要約】【課題】 基板上に窒化物半導体層を有する半導体ウエハーを分割し半導体素子を製造するに際し、歩留まり良く、所望の形状及び大きさに分割できる方法を提供する。【解決手段】 半導体ウエハー1は、基板(サファイヤ基板)2とその基板上に窒化ガリウム系半導体のn型層とp型層を積層してなる半導体層3からなり、まず、半導体層面側から基板方向に基板2に達する第1の分割溝4が形成され、次に、基板2の下面側から半導体層3方向に第1の分割溝に平行で、かつ底面の一部が分割溝4の底面と対向した分割溝5が形成された後、半導体ウエハー1を軽くローラで押さえることにより、分割溝4又は5を分割し、半導体素子が製造される。
Claim (excerpt)：
基板上にn型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層を備えた半導体ウエハーを分割して半導体発光素子を製造する方法であって、上記基板の半導体層面側から上記基板方向に基板に達する第1の分割溝を形成する工程と、上記第1の分割溝の底面に少なくとも一部が対向する底面を有しかつ上記第1の分割溝に平行な第2の分割溝を上記基板の下面側から半導体層方向に形成し、上記第1と第2の分割溝で挟まれた薄肉部を基板に形成する工程と、上記薄肉部において分割する工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (3)：
H01L 33/00
, H01L 21/301
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, H01S 3/18
, H01L 21/78 Q
, H01L 21/78 L
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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