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J-GLOBAL ID：200903034419993546
フォトマスクパターン設計装置およびフォトマスクパターン設計方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997041209
Publication number (International publication number)：1998239826
Application date： Feb. 25, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：
【要約】【課題】 論理回路のデザインルールを満たした設計をすることができるとともに、微細加工精度が向上した光近接効果補正パターンを含むフォトマスクパターンを簡易に得ることができるフォトマスクパターン設計装置およびフォトマスクパターン設計方法を得ること。【解決手段】 本発明は、通常のフォトマスクハ ゚ターンにおける最適化すべきフォトマスクパターン部分を抽出するための条件たるハ ゚ターンテ ゙サ ゙インルールの入力に用いられるパターン条件入力部2と、ハ ゚ターンテ ゙サ ゙インルールに適合しない光近接効果補正すべき光近接効果補正前パターンセルを抽出するパターン抽出部7と、最適化前パターンセルに対して複数回に亘って繰り返し光強度シミュレーションを実行する光強度シミュレーション部9と、上記複数のシミュレーション結果に基づいて光近接効果補正前パターンセルを最適化するパターン最適化部10とを有している。
Claim (excerpt)：
フォトマスクパターンにおいて光近接効果補正をすべきパターンセルを、所定の条件に基づいて抽出するパターンセル抽出手段と、前記パターンセル抽出手段により抽出された前記パターンセルに対して光強度シミュレーションを行い前記パターンセルにおける光強度の分布を計算により求めた結果に基づいて、前記パターンセルを微細加工用に最適化しこれを最適化パターンセルとして出力する最適化手段と、を具備することを特徴とするフォトマスクパターン設計装置。
IPC (3)：
G03F 1/08
, H01L 21/027
, H01L 21/02
G03F 1/08 A
, H01L 21/02 Z
, H01L 21/30 502 P
Cited by examiner (5)
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