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J-GLOBAL ID：200903034502718271
可変範囲水素センサとして使用するための金属ナノワイヤの形成
Inventor：
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,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
山本 秀策
, 安村 高明
, 森下 夏樹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004531908
Publication number (International publication number)：2005537469
Application date： Aug. 29, 2003
Publication date： Dec. 08, 2005
Summary：
本発明は、可変範囲水素センサ(502)およびこれを作製するための方法を提供する。このような可変範囲水素センサ(502)は、ナノブレイクジャンクション(302)を中に有し、このナノワイヤ(106,301)は、所定の寸法および配向を有する、一連の製造されたPd-Ag(パラジウム-銀)ナノワイヤ(106,301)(この一連のワイヤの各々のワイヤは、異なるAg 対 Pdの比を有する)を備える。このナノワイヤ(106,301)がH2に曝される場合、それらの格子は、H2濃度が閾値(Pd 対 Agのその特定の比に特有である)に達すると、膨張する。このことにより、ナノブレイクジャンクション(302)が閉じて、ワイヤの長さに沿って6〜8桁の大きさの抵抗の減少がもたらされ、水素濃度の範囲についての検知機構が提供される。
Claim (excerpt)：
水素センサであって、該センサは、以下:
a)誘電性表面材料;および
b)該誘電性表面上にPdおよびAgを含む少なくとも一本の金属ナノワイヤであって、ここで該金属ナノワイヤは、少なくとも1つのナノブレイクジャンクションを含み、該ナノブレイクジャンクションは、閾値水素濃度に曝された場合に閉じる、金属ナノワイヤ、
を備える、水素センサ。
IPC (4)：
G01N27/04
, B82B1/00
, B82B3/00
, G01N27/22
G01N27/04 D
, B82B1/00
, B82B3/00
, G01N27/22 A
2G060AA02
, 2G060AB03
, 2G060AF07
, 2G060AF08
, 2G060AF10
, 2G060AG15
Cited by examiner (2)
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水素ガスセンサ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-114629
Applicant：科学技術振興事業団
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金属-絶縁膜-半導体センサによる流体の検出
Gazette classification：公表公報
Application number：特願平8-534959
Applicant：エレクトリックパワーリサーチインスチテュート
Article cited by the Patent：
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