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J-GLOBAL ID：200903034511161824

熱を利用した切替えを実行する情報記憶装置

Inventor： ジャニス・エイチ・ニッケル ,  ラング・ティー・トラン
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 岡田 次生 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001384427
Publication number (International publication number)：2002245774
Application date： Dec. 18, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：

【要約】【課題】 MRAM装置の磁性メモリ素子への書込みの信頼性を高めるための装置を提供する。【解決手段】 磁性メモリ素子(114)からなるアレイ(112)と、前記メモリ素子(114)のための複数の加熱素子(120b)とを備える情報記憶装置(110)。態様によれば、前記加熱素子(120b)は、前記メモリ素子(114)から離隔して配置される。態様によれば、前記加熱素子(120b)は、前記アレイ(112)を横切って延在する加熱線(120)に含まれる。態様によれば、前記各加熱線(120)は、前記加熱素子(120b)によって分離される導電性のライン(120a)を含む。態様によれば、前記加熱線(120)は、前記アレイ(112)を斜め方向に横切って延在する。

Claim (excerpt)：

情報記憶装置であって、磁性メモリ素子からなるアレイと、前記メモリ素子のための複数の加熱素子とを備える装置。

IPC (4)：

G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (4)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

F-Term (1)：

5F083FZ10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 磁気メモリデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-084554   Applicant：名古屋大学長, 三洋電機株式会社
• 特開平4-023293
  
• 磁性薄膜メモリ素子および磁性薄膜メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-301614   Applicant：山崎陽太郎, ティーディーケイ株式会社
• 特開昭61-050277
  

Cited by examiner (4)

• 磁気メモリデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-084554   Applicant：名古屋大学長, 三洋電機株式会社
• 特開昭61-050277
  
• 特開平4-023293
  
• 磁性薄膜メモリ素子および磁性薄膜メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-301614   Applicant：山崎陽太郎, ティーディーケイ株式会社