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J-GLOBAL ID：200903034523759644

機能性膜及びその製造方法、並びにそれを用いた液晶表示素子及びその製造方法

Inventor：
野村 幸生

About 野村 幸生

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小川 一文

About 小川 一文

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大竹 忠

About 大竹 忠

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武部 尚子

About 武部 尚子


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 大前 要
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999260096
Publication number (International publication number)：2001138434
Application date： Sep. 14, 1999
Publication date： May. 22, 2001
Summary：
【要約】【課題】シラン系化合物を被膜成分とし、撥水性、耐久性、耐熱性に優れた機能性膜及びその製造方法、並びにそれを用いた液晶表示素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基材表面に、X-(SiOX2)n-SiX3(ただしXはハロゲン、アルコキシ基およびイソシアネート基からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物であり、nは0以上の整数である。)で表される、加水分解させることのできる化合物を含む下地層溶液を接触させ、300°C未満の温度で乾燥して下地層を形成し、この下地層の表面にシラン系化合物を含む溶液を接触させ、シラン系化合物分子を化学吸着させた後、当該基材を300°C以上の温度で焼成することを特徴とする。これにより、基材表面の性質を改質することを目的とするシラン系化合物からなる機能性膜の撥水性、耐久性、耐熱性を向上させることができる。
Claim (excerpt)：
基材表面に下地層を介して形成された機能性膜に於いて、前記下地層は、X-(SiOX2)n-SiX3(ただし、Xはハロゲン、アルコキシ基およびイソシアネート基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基であり、nは0以上の整数である。)で表される、加水分解させることのできる化合物により形成された薄膜であって、シロキサン結合を介して該基材上に結合固定され、下記構造式(1)で表される構造単位を含む薄膜であり、前記機能性膜は、分子末端基に-O-Si結合基を有するシラン系化合物分子の集合群が前記下地層に化学結合により化学吸着されてなる薄膜である、ことを特徴とする機能性膜。【化1】(但し、nは0以上の整数である。)
IPC (7)：
B32B 9/00 ,  C03C 17/30 ,  C08G 77/04 ,  C09D183/10 ,  C09D185/00 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1337 530
FI (7)：
B32B 9/00 Z ,  C03C 17/30 A ,  C08G 77/04 ,  C09D183/10 ,  C09D185/00 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1337 530
F-Term (49)：
2H090HB12Y ,  2H090HC05 ,  2H090HD14 ,  2H090KA05 ,  2H090MB01 ,  2H090MB14 ,  4F100AA01B ,  4F100AA01C ,  4F100AA19A ,  4F100AB04A ,  4F100AG00A ,  4F100AK52B ,  4F100AS00A ,  4F100AS00C ,  4F100AT00A ,  4F100AT00B ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100GB90 ,  4F100JM02C ,  4F100JN17C ,  4G059AA01 ,  4G059AC22 ,  4G059AC30 ,  4G059FA05 ,  4G059FA22 ,  4G059FB05 ,  4J035AA01 ,  4J035AA02 ,  4J035AB02 ,  4J035BA11 ,  4J035CA01N ,  4J035CA072 ,  4J035CA132 ,  4J035CA162 ,  4J035EA01 ,  4J035EB02 ,  4J035LA03 ,  4J035LB01 ,  4J038DG261 ,  4J038DL021 ,  4J038DL081 ,  4J038JC32 ,  4J038JC35 ,  4J038NA18 ,  4J038PC02 ,  4J038PC03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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