微細パターンの形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995183756
Publication number (International publication number)：1997034118
Application date： Jul. 20, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】反射率の小さな基板上においても良好なパターン形状と十分な焦点深度を達成できる微細パターン形成方法を提供する。【構成】半導体基板上の被加工層上にレジストを塗布する工程と、前記レジストを露光し、現像を行うことにより、パターンを形成する微細パターンの形成方法において、前記レジストと被加工層とレジストの間に反射防止層を設け、かつ、前記レジストにKrFエキシマレーザ(248nm)等の露光光に対して70%以上の透過率を有する有橋環式炭化水素基を含有する樹脂を用いて、透過率の高いレジストを構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の被加工層上にレジストを塗布する工程と、前記レジストを露光し、現像を行うことにより、パターンを形成する微細パターンの形成方法において、前記レジストと被加工層とレジストの間に反射防止層を設け、かつ、前記レジストに露光光に対する透過率が70%以上の樹脂を用いることを特徴とする微細パターンの形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/11 503 , G03F 7/039 501 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/11 503 , G03F 7/039 501 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

遠紫外線用レジスト
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-267628 Applicant：富士通株式会社
放射線感光材料およびそれを用いるパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-053726 Applicant：富士通株式会社
特開昭61-185928

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