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J-GLOBAL ID：200903043938162731

遠紫外線用レジスト

Inventor： 開元 裕子 ,  武智 敏 ,  及川 朗
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993267628
Publication number (International publication number)：1995120927
Application date： Oct. 26, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 微細パターン形成のために遠紫外線を用いる露光技術に関し、KrFエキシマレーザ光等の遠紫外領域において、透明性が高く、かつ反射光の影響が少ない露光技術を提供することを目的とする。【構成】 遠紫外領域において透明性の高いベースポリマを用い、光酸発生剤と共にブリーチング剤を用いることによって有効に反射光を低減することができる。また、ブリーチング剤を添加することによってレジストパターン上端における庇の発生を防止することができる。

Claim (excerpt)：

主としてベースポリマと光酸発生剤で構成される化学増幅型レジストと、前記化学増幅型レジストに添加されたブリーチング剤とを含む遠紫外線用レジスト。

IPC (6)：

G03F 7/039 501 ,  C08F 20/18 MMG ,  C08L101/00 LSZ ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (15)

• 特開平3-276157
  
• 特開平4-039665
  
• 特開平3-229255
  
• レジスト材料およびそれを用いるパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-060469   Applicant：富士通株式会社
• 特開平1-300248
  
• 特開平3-289658
  
• 感光性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-253523   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 特開平3-103854
  
• 特開平2-084648
  
• 特開昭64-033544
  
• レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-191121   Applicant：松下電器産業株式会社, 和光純薬工業株式会社
• レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-312671   Applicant：日本ゼオン株式会社
• ポジ型レジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-041718   Applicant：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社
• ジフェノール酸第三級ブチルエステル誘導体及びそれを含有するポジ型レジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-244004   Applicant：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社
• ポジ型フォトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-005795   Applicant：住友化学工業株式会社