3-5族化合物半導体用電極の製造方法と3-5族化合物半導体素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保山隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997168459
Publication number (International publication number)：1999016852
Application date： Jun. 25, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】3-5族化合物半導体に用いられる接触抵抗の小さな電極の製造方法、特にC軸成長した良好な結晶品質の3-5族化合物半導体に用いられる接触抵抗の小さな電極の製造方法および該製造方法により得られた電極を用いた3-5族化合物半導体素子を提供する。【解決手段】一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体表面に電極を製造する方法において、該半導体表面に湿式エッチング法によりエッチピットからなる凹凸を形成した後に電極6を形成する工程を有する3-5族化合物半導体用電極の製造方法。

Claim (excerpt)：

一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体表面に電極を製造する方法において、該半導体表面に湿式エッチング法によりエッチピットからなる凹凸を形成した後に電極を形成する工程を有することを特徴とする3-5族化合物半導体用電極の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/205 , H01L 21/306 , H01L 31/10 , H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (8)：

H01L 21/28 301 G , H01L 21/205 , H01L 33/00 E , H01L 33/00 C , H01S 3/18 , H01L 21/306 F , H01L 21/306 B , H01L 31/10 H

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

3-5族化合物半導体用電極の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-150311 Applicant：住友化学工業株式会社
3-5族化合物半導体用電極材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-073442 Applicant：住友化学工業株式会社
特開昭62-286253

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Cited by examiner (6)

3-5族化合物半導体用電極の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-150311 Applicant：住友化学工業株式会社
3-5族化合物半導体用電極材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-073442 Applicant：住友化学工業株式会社
特開昭62-286253

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