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J-GLOBAL ID：200903034771304718
エレクトレット構造及びその形成方法並びにエレクトレット型静電容量センサ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
有我 軍一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008003314
Publication number (International publication number)：2009164539
Application date： Jan. 10, 2008
Publication date： Jul. 23, 2009
Summary：
【課題】無機エレクトレット部材の厚さに関わらず、その耐湿性を確実に確保することができるエレクトレット構造及びその形成方法並びにエレクトレット型静電容量センサを提供すること。【解決手段】シリコンマイクロホン100は、背面電極基板200と、背面電極基板200に対向配置された可動電極基板300と、背面電極基板200と可動電極基板300との間に設けられた絶縁体400とを備え、背面電極基板200は、シリコン基板201と、シリコン基板201に形成された貫通孔204と、貫通孔204を避けるようパターニングされて形成された凹部に埋め込まれたシリコン酸化膜202と、シリコン基板201及びシリコン酸化膜202の表面を覆うように形成されたシリコン窒化膜203と、電極205とを備える。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
凹部が形成された第1の面及び該第1の面とは反対側の第2の面を有するシリコン基板と、前記凹部の底面から前記第1の面の位置までの前記凹部内に埋め込まれた無機エレクトレット部材と、前記第1の面及び前記無機エレクトレット部材の表面を保護する保護膜と、前記第2の面上に形成された電極とを備えたことを特徴とするエレクトレット構造。
IPC (1)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
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エレクトレット構造及びその形成方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2005-060577
Applicant：松下電器産業株式会社
Cited by examiner (2)
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