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J-GLOBAL ID：200903033218977368

コンデンサマイクロホンの製造方法およびコンデンサマイクロホン

Inventor：
森 三佳

About 森 三佳

, 
田中 圭介

About 田中 圭介

, 
山口 琢己

About 山口 琢己

, 
片山 琢磨

About 片山 琢磨


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (11)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006092354
Publication number (International publication number)：2007267273
Application date： Mar. 29, 2006
Publication date： Oct. 11, 2007
Summary：
【課題】信頼性に優れ、小型で高出力なコンデンサマイクロホンを提供することにある。【解決手段】第1の半導体チップ32は、第1の半導体基板10上に形成された固定電極13、及び第1の層間絶縁膜18上に形成された複数の第1の金属スペーサ17を備え、第2の半導体チップ33は、第2の半導体基板上に形成された振動電極14、及び第2の層間絶縁膜19上に形成された複数の第2の金属スペーサ28を備えている。そして、第1の半導体チップ32及び第2の半導体チップ33は、第1の金属スペーサ17と第2の金属スペーサ28とで金属接合されており、第1の金属スペーサ17と第2の金属スペーサ28との接合領域以外が、第1の半導体チップ32と第2の半導体チップ33との間のエアギャップ15を構成している。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
固定電極が形成された第1の半導体チップ、及び振動電極が形成された第2の半導体チップを、エアギャップを挟んで互いに接合することによって、前記固定電極、前記振動電極、及び前記エアギャップで構成されるコンデンサマイクロホンを製造する方法であって、 第1の半導体基板上に前記固定電極を形成した後、該固定電極を含む前記第1の半導体基板上に第1の層間絶縁膜を形成し、該第1の層間絶縁膜上に複数の第1の金属スペーサを形成することにより、前記第1の半導体チップを形成する工程と、 第2の半導体基板上に前記振動電極を形成した後、該振動電極を含む前記第2の半導体基板上に第2の層間絶縁膜を形成し、該第2の層間絶縁膜上に複数の第2の金属スペーサを形成することにより、前記第2の半導体チップを形成する工程と、 前記第1の半導体チップ及び前記第2の半導体チップを互いに対向させて配置した後、前記第1の金属スペーサと前記第2の金属スペーサとを互いに金属接合する工程と を含み、 前記第1の金属スペーサと前記第2の金属スペーサとの接合領域以外が、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間の前記エアギャップを構成していることを特徴とする、コンデンサマイクロホンの製造方法。
IPC (4)：
H04R 19/04 ,  H04R 19/01 ,  H04R 31/00 ,  G01H 11/06
FI (4)：
H04R19/04 ,  H04R19/01 ,  H04R31/00 C ,  G01H11/06
F-Term (10)：
2G064AB01 ,  2G064AB02 ,  2G064AB13 ,  2G064BA07 ,  2G064BA08 ,  2G064BD05 ,  5D021CC08 ,  5D021CC12 ,  5D021CC15 ,  5D021CC20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (5)
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