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J-GLOBAL ID：200903034814092477

カーボンナノ構造体の製造方法、触媒金属基材および触媒反応容器

Inventor：
久貝 裕一

About 久貝 裕一

, 
日方 威

About 日方 威


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (3)： 中野 稔 ,  山口 幹雄 ,  二島 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006043734
Publication number (International publication number)：2007223820
Application date： Feb. 21, 2006
Publication date： Sep. 06, 2007
Summary：
【課題】 高純度で長尺のカーボンナノ構造体を安定して製造することが可能なカーボンナノ構造体の製造方法を提供する。【解決手段】 密閉容器と、前記密閉容器の内部空間を第一の空間と第二の空間に仕切る触媒金属基材と、前記触媒金属基材を固定する固定部材と、を備えた触媒反応容器を用い、前記触媒金属基材は、前記第一の空間に接する第一の表面と前記第二の空間に接する第二の表面を有するように配置されており、かつ前記第二の表面の少なくとも一部に、前記触媒金属基材表面から成長させた炭素塊を備えており、前記第一の空間に少なくとも炭素を含む原料ガスを供給し、前記第一の表面から前記触媒金属基材の内部を通って前記第二の表面に達した炭素を、前記炭素塊を基点としてカーボンナノ構造体に成長させる。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
密閉容器と、前記密閉容器の内部空間を第一の空間と第二の空間に仕切る触媒金属基材と、前記触媒金属基材を固定する固定部材と、を備えた触媒反応容器を用い、 前記触媒金属基材は、前記第一の空間に接する第一の表面と前記第二の空間に接する第二の表面を有するように配置されており、かつ前記第二の表面の少なくとも一部に、前記触媒金属基材表面から成長させた炭素塊を備えており、 前記第一の空間に少なくとも炭素を含む原料ガスを供給し、 前記第一の表面から前記触媒金属基材の内部を通って前記第二の表面に達した炭素を、前記炭素塊を基点としてカーボンナノ構造体に成長させることを特徴とする、カーボンナノ構造体の製造方法。
IPC (2)：
C01B 31/02 ,  B01J 19/24
FI (2)：
C01B31/02 101F ,  B01J19/24 A
F-Term (24)：
4G075AA22 ,  4G075AA27 ,  4G075BA05 ,  4G075BC04 ,  4G075CA54 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075EB01 ,  4G075EE12 ,  4G146AA11 ,  4G146BA08 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC26 ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA12 ,  4G146DA26 ,  4G146DA40 ,  4G146DA46
Patent cited by the Patent：
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