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J-GLOBAL ID：200903034931273520

Mo系スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法

Inventor： 平川 英司 ,  谷口 繁 ,  岩崎 克典 ,  井上 惠介
Applicant, Patent owner： 日立金属株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001324671
Publication number (International publication number)：2003129232
Application date： Oct. 23, 2001
Publication date： May. 08, 2003
Summary：

【要約】【課題】 大型化に適し、酸素量の低減化を達成したMo系スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、粉末の圧密体からなる複数のブロックが接合してなるスパッタリング用ターゲットであって、酸素含有量が100ppm以下であるMo系スパッタリング用ターゲットである。本発明においては、粉末の圧密体からなる複数のブロックを、実質的に同組成とすることにより、均一組成の大型ターゲットを得ることが可能になる。本発明のスパッタリング用ターゲットは、たとえば原料粉末を圧縮成形した複数のブロックを、加圧容器に入れ込み、熱間静水圧プレスにより接合することにより得ることができる。そして、原料粉末を圧縮後、水素雰囲気中で焼結したブロックとすることで、ターゲットの酸素量の低減に有効である。

Claim (excerpt)：

粉末の圧密体からなる複数のブロックが接合してなるスパッタリング用ターゲットであって、酸素含有量が100ppm以下であることを特徴とするMo系スパッタリング用ターゲット。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  B22F 3/00 ,  B22F 3/15 ,  C22C 27/04 102

FI (4)：

C23C 14/34 A ,  B22F 3/00 A ,  B22F 3/15 M ,  C22C 27/04 102

F-Term (9)：

4K018AA21 ,  4K018BA20 ,  4K018CA23 ,  4K018EA12 ,  4K018EA16 ,  4K018KA29 ,  4K029DC03 ,  4K029DC07 ,  4K029DC09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• スパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-209097   Applicant：株式会社東芝
• 特許第3079378号
  
• スパッタリング用タ-ゲットおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-007321   Applicant：日立金属株式会社