半導体発光装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999244737
Publication number (International publication number)：2001068782
Application date： Aug. 31, 1999
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】窓構造を有する半導体レーザ装置において、窓領域に注入される無効電流を抑制し、素子の高出力化、高信頼性化を図る。【解決手段】窓領域に水素を添加してドーパント不純物を不活性化することにより、窓領域の抵抗率を上昇させる。

Claim (excerpt)：

半導体素子の光出射端面に不純物ドープによる窓領域を設けて、前記窓領域の半導体層に含まれる水素原子濃度を内部側の水素原子濃度より大きくした半導体発光装置。

F-Term (13)：

5F073AA13 , 5F073AA74 , 5F073AA84 , 5F073AA86 , 5F073AA87 , 5F073BA06 , 5F073CA14 , 5F073CB02 , 5F073CB18 , 5F073DA11 , 5F073DA13 , 5F073DA33 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-212462 Applicant：三菱電機株式会社
半導体レーザ素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-076867 Applicant：株式会社日立製作所
半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-237023 Applicant：住友電気工業株式会社

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