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J-GLOBAL ID:200903035073456219
液相エピタキシャル成長用部材
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
福田 保夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999253999
Publication number (International publication number):2001080991
Application date: Sep. 08, 1999
Publication date: Mar. 27, 2001
Summary:
【要約】【課題】 金属融液との非濡れ性に優れ、またパーティクル発生を効果的に低減化でき、液相エピタキシャル成長装置に好適に用いられる部材を提供する。【解決手段】 少なくとも金属融液と接する部材面の表面粗度が、表面粗さの平均値Raが0.8μm 以下、最大値Rmax が10μm 以下の性状を備えたガラス状カーボンからなる液相エピタキシャル成長用部材。また、この表面粗さ性状を備えた厚さ0.1〜10mmのガラス状カーボンが等方性黒鉛基材に接合されてなる液相エピタキシャル成長用部材。
Claim (excerpt):
少なくとも金属融液と接する部材面の表面粗度が表面粗さの平均値Raが0.8μm 以下、最大値Rmax が10μm 以下の性状を備えたガラス状カーボンからなることを特徴とする液相エピタキシャル成長用部材。
IPC (4):
C30B 19/06
, C01B 31/02 101
, C04B 35/52
, H01L 21/208
FI (4):
C30B 19/06 S
, C01B 31/02 101 A
, H01L 21/208 S
, C04B 35/52 A
F-Term (17):
4G032AA07
, 4G032BA03
, 4G032GA12
, 4G046CA04
, 4G046CB06
, 4G046CC01
, 4G077AA03
, 4G077CG01
, 4G077EG05
, 4G077QA02
, 4G077QA52
, 5F053BB14
, 5F053BB60
, 5F053DD03
, 5F053DD07
, 5F053DD11
, 5F053RR20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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特開昭62-270489
-
特開平3-205388
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特開昭62-278185
-
特開昭64-047019
-
高純度炭化珪素質半導体処理部材及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-095870
Applicant:東芝セラミックス株式会社
-
特開平4-010411
-
特開昭53-034465
-
特開平3-146672
-
SiC単結晶の合成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-007537
Applicant:住友電気工業株式会社, 西野茂弘
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