SiC単結晶の合成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：長谷川芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998007537
Publication number (International publication number)：1999199396
Application date： Jan. 19, 1998
Publication date： Jul. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】高品質で大型のSiC単結晶を、容易にしてかつ早い成長速度で安価に合成する。【解決手段】合成装置内に3つの温度領域T<SB>1</SB>、T<SB>2</SB>、T<SB>3</SB>を形成するとともに、各領域の温度をT<SB>1</SB><T<SB>2</SB><T<SB>3</SB>とする。低温領域T<SB>1</SB>に固体のSi源12、中温領域T<SB>2</SB>にSiCの種結晶11またはSiC単結晶基板、高温領域T<SB>3</SB>に固体の炭素供給源15をそれぞれ設置する。低温領域T<SB>1</SB>からSiを蒸発させ、その蒸発させたSiを高温領域T<SB>3</SB>を通過させることにより炭素と反応させてSiC形成ガスを形成させ、SiC形成ガスを中温領域T<SB>2</SB>の種結晶またはSiC単結晶基板に到達させてSiC単結晶を合成する。

Claim (excerpt)：

合成装置内に3つの温度領域T<SB>1</SB>、T<SB>2</SB>、T<SB>3</SB>を形成するとともに、各領域の温度をT<SB>1</SB><T<SB>2</SB><T<SB>3</SB>とし、低温領域T<SB>1</SB>に固体のSi、中温領域T<SB>2</SB>にSiCの種結晶またはSiC単結晶基板、高温領域T<SB>3</SB>に固体の炭素をそれぞれ設置して、前記低温領域T<SB>1</SB>からSiを蒸発させ、その蒸発させたSiを前記高温領域T<SB>3</SB>を通過させることにより前記炭素と反応させてSiC形成ガスを形成させ、前記SiC形成ガスを前記中温領域T<SB>2</SB>の種結晶またはSiC単結晶基板に到達させてSiC単結晶を合成することを特徴とするSiC単結晶の合成方法。

IPC (4)：

C30B 29/36 , C23C 16/42 , C23C 16/44 , C30B 25/00

FI (4)：

C30B 29/36 A , C23C 16/42 , C23C 16/44 C , C30B 25/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-005018 Applicant：昭和電工株式会社
炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-103719 Applicant：株式会社豊田中央研究所
単結晶製造方法及びその単結晶製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-200610 Applicant：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所

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