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J-GLOBAL ID：200903035075644586

誘電体薄膜構造物

Inventor： 神野 伊策 ,  林 重徳 ,  平尾 孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993321534
Publication number (International publication number)：1995176803
Application date： Dec. 21, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高い比誘電率又は高性能残留分極特性を有する誘電体薄膜構造物を提供する。【構成】 基板1としてSi上に白金を蒸着したものを用い、ペロブスカイト型強誘電体薄膜2としてPbTiO3 、ペロブスカイト型反強誘電体薄膜3としてPbZrO3 を用い、1層当たりの膜厚を50オングストロームとして20層からなる1000オングストロームの誘電体薄膜構造物を作製する。

Claim (excerpt)：

ペロブスカイト型強誘電体薄膜と、ペロブスカイト型反強誘電体薄膜との積層構造を有する誘電体薄膜構造物。

IPC (6)：

H01L 41/083 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (3)：

H01L 41/08 S ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 325 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 強誘電体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-205874   Applicant：ローム株式会社
• 強誘電体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-205875   Applicant：ローム株式会社
• 特開平3-108192