光半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：光石俊郎 , 田中康幸 , 松元洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005247030
Publication number (International publication number)：2007066930
Application date： Aug. 29, 2005
Publication date： Mar. 15, 2007
Summary：

【課題】 InGaAs基板上の高歪量子井戸構造の結晶性の向上と熱抵抗を低減する。【解決手段】 InGaAs基板1の上に、歪量子井戸構造αを構成する。この歪量子井戸構造αの量子井戸層4,6,8は、発振波長が通信帯波長となるように高圧縮歪となっている。この圧縮歪を歪補償するため、引張り歪となるGaAs層を含むInGaAs/GaAs障壁層3,5,7,9を、量子井戸層4,6,8の間に積層形成する。これにより、歪によるミスフィット転位や欠陥の発生が緩和される。また2元結晶であるGaAsは熱抵抗が低減し温度上昇を抑制することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

3元混晶の半導体結晶InxGa1-xAsからなる基板の上に、活性層として形成される歪量子井戸構造において、前記歪量子井戸構造は、圧縮歪量子井戸層とGaAsを含む障壁層とから成ることを特徴とする光半導体装置。

IPC (1)：

H01S 5/343

FI (1)：

H01S5/343

F-Term (14)：

5F173AC03 , 5F173AC13 , 5F173AF05 , 5F173AF07 , 5F173AF15 , 5F173AG12 , 5F173AH02 , 5F173AH03 , 5F173AH04 , 5F173AJ03 , 5F173AJ13 , 5F173AP05 , 5F173AR72 , 5F173AR82

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特開平4-372188
半導体レーザ装置およびその製造方法および光伝送モジュールおよび光伝送システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-337586 Applicant：株式会社リコー
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-236141 Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (4)

特開平4-372188
半導体レーザ装置およびその製造方法および光伝送モジュールおよび光伝送システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-337586 Applicant：株式会社リコー
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-236141 Applicant：株式会社日立製作所

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