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J-GLOBAL ID：200903057658195775

半導体レーザ装置およびその製造方法および光伝送モジュールおよび光伝送システム

Inventor：
高橋 孝志

About 高橋 孝志

, 
佐藤 俊一

About 佐藤 俊一


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002337586
Publication number (International publication number)：2004172439
Application date： Nov. 21, 2002
Publication date： Jun. 17, 2004
Summary：
【課題】多重量子井戸構造を活性層とする半導体レーザ装置において、電子と正孔の両者を均一に注入することにより、低閾電流で動作させる。【解決手段】井戸層と障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造からなる活性層104を含み、障壁層は、窒素と他のV族元素を含む混晶半導体で構成されており、障壁層には、1×1017〜1×1019cm-3のp型不純物がドーピングされている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
井戸層と障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造からなる活性層を含み、障壁層は、窒素と他のV族元素を含む混晶半導体で構成されており、障壁層には、1×1017〜1×1019cm-3のp型不純物がドーピングされていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2)：
H01S5/343 ,  H01S5/20
FI (2)：
H01S5/343 610 ,  H01S5/20 610
F-Term (10)：
5F073AA74 ,  5F073AA76 ,  5F073AA77 ,  5F073AB16 ,  5F073BA01 ,  5F073CA07 ,  5F073CA11 ,  5F073CB02 ,  5F073CB13 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (11)
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Cited by examiner (11)
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