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J-GLOBAL ID：200903035113621870

窒化物系III-V族化合物半導体装置

Inventor：
寺口 信明

About 寺口 信明


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 西教 圭一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000266117
Publication number (International publication number)：2002076024
Application date： Sep. 01, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：
【要約】【課題】 急峻な界面を有し、移動度などの特性に優れた窒化物系III-V化合物半導体装置を提供する。【解決手段】 半絶縁性SiC基板1の(0001)結晶面に、AlNエピタキシャルバッファ層2、第1の二元化合物半導体層であるキャリア濃度が1×1016cm-3のGaNチャネル層3、第2の二元化合物半導体層であるAlNバリア特性改善層4、三元混晶半導体層であるキャリア濃度が2×1017cm-3のAl0.2Ga0.8Nバリア層5がこの順に積層され、この上にソース電極6a、ドレイン電極6b、およびゲート電極7が形成される。第1の二元化合物半導体層であるGaNチャネル層3と三元混晶半導体層であるAlGaNバリア層5の間に第1の二元化合物半導体層よりもバンドギャップの大きい第2の二元化合物半導体層であるAlNヘテロ特性改善層4を介在させる。
Claim (excerpt)：
ヘテロ構造を有する窒化物系III-V族化合物半導体装置において、チャネル層を構成する第1の二元化合物半導体層とバリア層を構成する三元混晶半導体層との間に第2の二元化合物半導体層が介在されることを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/201
FI (2)：
H01L 29/80 B ,  H01L 29/203
F-Term (13)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL09 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GQ03 ,  5F102GR04 ,  5F102HC01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-056529   Applicant：日本電信電話株式会社
  • 半導体素子およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-094755   Applicant：ソニー株式会社
  • 高電子移動度トランジスタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-035493   Applicant：ソニー株式会社
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