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J-GLOBAL ID:200903035163185559

殊に薄膜太陽光電池のためのダイオード構造体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 矢野 敏雄 (外4名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001540846
Publication number (International publication number):2003515934
Application date: Oct. 18, 2000
Publication date: May. 07, 2003
Summary:
【要約】本発明は、殊に薄膜太陽光電池のためのダイオード構造体に関する。高い効率でできるだけ環境保護性の材料を使用しながら薄膜太陽光電池のできるだけ融通の利く構造を可能にする、薄膜太陽光電池のためのダイオード構造体を得るために、黄銅鉱化合物からなるp導電性層とp導電性層と境を接する、チタンおよび酸素を含有する化合物からなるn導電性層とを有するダイオード構造体が設けられている。
Claim (excerpt):
黄銅鉱化合物からなるp導電性層とチタンおよび酸素を含有する化合物からなる、p導電性層と境を接するn導電性層とを有する、殊に薄膜太陽光電池のためのダイオード構造体。
F-Term (12):
5F051AA03 ,  5F051AA07 ,  5F051AA10 ,  5F051BA11 ,  5F051DA03 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051GA03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
  • 太陽電池及びその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-265082   Applicant:松下電器産業株式会社
  • 薄膜太陽電池及びその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-114330   Applicant:矢崎総業株式会社
  • 太陽電池
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-181242   Applicant:松下電器産業株式会社
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Article cited by the Patent:
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