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J-GLOBAL ID：200903035163783090

表面処理組成物及びそれを用いた基体表面処理方法

Inventor： 森永 均 ,  藤末 昌也
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996229441
Publication number (International publication number)：1997111224
Application date： Aug. 13, 1996
Publication date： Apr. 28, 1997
Summary：

【要約】【目的】 表面処理組成物から基体表面への金属不純物の汚染を防止し、安定的に極めて清浄な基体表面を達成する事ができる表面処理組成物及びそれを用いた基体の表面処理方法を提供する。【解決手段】 液媒体中に金属付着防止剤として錯化剤を含有する表面処理組成物において、該錯化剤は、(A群)分子構造中に環状骨格を有し、且つ該環を構成する炭素原子に結合したOH基及び/又はO-基を1つ以上有する錯化剤(例えば、タイロン、カテコール)、及び(B群)分子構造中にドナー原子である窒素原子を1つ以上有する錯化剤(例えば、キノリノール,EDTA)の各群から各々少なくとも1種選ばれる錯化剤からなる表面処理組成物及びこの表面処理組成物を用いる基体の表面処理方法。

Claim (excerpt)：

液媒体中に金属付着防止剤として錯化剤を含有する表面処理組成物において、該錯化剤は、(A群)分子構造中に環状骨格を有し、且つ該環を構成する炭素原子に結合したOH基及び/又はO-基を1つ以上有する錯化剤、及び(B群)分子構造中にドナー原子である窒素原子を1つ以上有する錯化剤の各群から各々少なくとも1種選ばれる錯化剤からなる事を特徴とする表面処理組成物。

IPC (4)：

C09K 3/00 112 ,  C09K 3/00 108 ,  C11D 7/32 ,  H01L 21/304 341

FI (4)：

C09K 3/00 112 Z ,  C09K 3/00 108 B ,  C11D 7/32 ,  H01L 21/304 341 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体ウエハ処理液
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-310711   Applicant：株式会社東芝
• 特開平3-219000
  
• 特開平3-219000