Pat
J-GLOBAL ID：200903035164090381

半導体評価装置

Inventor：
小山 芳紀

About 小山 芳紀


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (1)： 田下 明人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008052003
Publication number (International publication number)：2009210322
Application date： Mar. 03, 2008
Publication date： Sep. 17, 2009
Summary：
【課題】 半導体のグランド端子から高周波ノイズを注入した場合の半導体装置のイミュニティ評価を行うことができる半導体評価装置を実現する。【解決手段】 LSI10のグランド端子12はインダクタLを介して接地されているため、高周波ノイズ発生器2から発生した高周波ノイズの交流成分をグランド端子12に注入することができる。従って、グランド端子12から高周波ノイズを注入した場合のLSI10のイミュニティ評価を行うことができる。また、電路14には、インダクタLの一端が電気的に接続されており、インダクタLの他端が接地されてなるため、グランド端子12に注入された高周波ノイズがグランド端子12から流出するおそれがない。従って、LSI10のグランド端子12に高周波ノイズを定量かつ安定に注入することができるため、LSI10のイミュニティ評価を高精度に行うことができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
高周波ノイズを発生する高周波ノイズ発生手段と、 前記高周波ノイズ発生手段から発生した高周波ノイズを半導体装置の端子に注入したときの前記半導体装置の特性を計測する計測手段と、を備えた半導体評価装置において、 前記半導体装置の電源端子に電源を供給する電源供給手段と、 前記高周波ノイズ発生手段の出力側と前記半導体装置のグランド端子との間に直列かつ電気的に接続されたキャパシタと、 前記グランド端子と前記キャパシタとが電気的に接続された電路に一端が電気的に接続されており、かつ、他端が接地されたインダクタと、 を備えたことを特徴とする半導体評価装置。
IPC (2)：
G01R 31/30 ,  G01R 31/00
FI (2)：
G01R31/30 ,  G01R31/00
F-Term (10)：
2G036AA28 ,  2G036BB09 ,  2G036BB12 ,  2G036CA12 ,  2G132AA00 ,  2G132AB10 ,  2G132AG01 ,  2G132AG09 ,  2G132AH07 ,  2G132AL11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体評価装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-103913   Applicant：株式会社デンソー
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM