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J-GLOBAL ID：200903027776274225

磁気抵抗効果型ヘッド

Inventor： 青島 賢一 ,  金井 均
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997268811
Publication number (International publication number)：1999110719
Application date： Oct. 01, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】本発明は、磁気抵抗効果型ヘッドに関し、特に反強磁性体層を有する磁気抵抗効果型ヘッドに関し、磁気抵抗効果に寄与しない反強磁性体層及びその下地層での電流のロスを防止すると共に、反強磁性層の下地層がフリー層の磁化方向に影響を及ぼすことを防止することを目的とし、基板上に、反強磁性層、第1強磁性層、非磁性中間層、第2強磁性層が順に積層されてなる磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、反強磁性層の基板側に直接結合し、NiまたはNiFe合金を主成分とし、Cr,Nb,Rh,Pdの少なくとも一つが添加されてなる下地層を設ける。

Claim (excerpt)：

基板上に、反強磁性層、第1強磁性層、非磁性中間層、第2強磁性層が順に積層されてなる磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記反強磁性層の前記基板側に直接結合し、NiまたはNiFe合金を主成分とし、Cr,Nb,Rh,Pdの少なくとも一つが添加されてなる下地層を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。

IPC (2)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/30

FI (2)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 磁気抵抗効果型トランスデューサ及び磁気記録装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-164023   Applicant：富士通株式会社
• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-202893   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子及び磁気記録装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-073782   Applicant：富士通株式会社