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J-GLOBAL ID：200903035174599568

両面受光太陽電池

Inventor：
中田 時夫

About 中田 時夫


Applicant, Patent owner：
中田 時夫

About 中田 時夫


Agent (1)： 三品 岩男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003086474
Publication number (International publication number)：2004296749
Application date： Mar. 26, 2003
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：
【課題】直列抵抗の増大を抑えて、キャリヤの拡散長を改善して高効率を実現した両面入力型薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】透光性基板1、透明導電膜7、光吸収層3、バッファ層4および透明導電膜5を有し、透明導電膜7と光吸収層3との間に、p型半導体、または、透光性の金属薄膜を中間層4として介在させる。p型半導体は、Mo、WおよびCrのいずれか1種のカルコゲナイドにより構成できる。透光性金属薄膜は、Ti、Ta、Ni、Zr、PtおよびAuのうちいずれかにより構成できる。光吸収層3は、XYZ2(X=Cu、Agのうち少なくとも1元素、Y=B、In、Ga、Alのうち少なくとも1元素、Z=S、Se、Teのうち少なくとも1元素)により構成される。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
透光性基板、第1の透明導電膜、光吸収層、バッファ層および第2の透明導電膜を有し、 前記第1の透明導電膜と光吸収層との間に、p型半導体を中間層として介在させることを特徴とする両面受光太陽電池。
IPC (1)：
H01L31/04
FI (1)：
H01L31/04 E
F-Term (6)：
5F051AA10 ,  5F051BA13 ,  5F051CB15 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03 ,  5F051HA20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 特開昭62-173765
  • 電解質組成物、光電変換素子及び光電池
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-263161   Applicant：富士写真フイルム株式会社
  • CuInSe2 系薄膜太陽電池およびその製法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-139893   Applicant：同和鉱業株式会社
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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