ジョセフソン接合及びジョセフソンデバイス

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平山一幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006332346
Publication number (International publication number)：2008047852
Application date： Dec. 08, 2006
Publication date： Feb. 28, 2008
Summary：

【課題】絶縁バリア層の形成を不要とする、新規なジョセフソン接合及びジョセフソン接合デバイスを提供する。【解決手段】ジョセフソン接合1は、超伝導体層2と超伝導体層2の中央部2C上に積層した強磁性層3とを備える。強磁性層3は導電性又は絶縁性の強磁性層とすることができ、絶縁層を介して積層される導電性強磁性層としてもよい。超伝導体層2を高温超伝導体層とすれば、大きなIcRN積を有するジョセフソン接合1とすることができる。このジョセフソン接合1は、各種のジョセフソンデバイスの接合として使用することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

超伝導体層と該超伝導体層の中央部上に積層される強磁性層とを備えることを特徴とする、ジョセフソン接合。

IPC (4)：

H01L 39/22 , C23C 14/28 , C23C 14/08 , C23C 14/24

FI (4)：

H01L39/22 A , C23C14/28 , C23C14/08 L , C23C14/24 Q

F-Term (23)：

4K029AA04 , 4K029BA50 , 4K029BC04 , 4K029BD01 , 4K029CA02 , 4K029DB05 , 4K029DB20 , 4K029EA05 , 4M113AA01 , 4M113AA52 , 4M113AC07 , 4M113AC08 , 4M113AC22 , 4M113AD36 , 4M113AD37 , 4M113BA04 , 4M113BC02 , 4M113CA13 , 4M113CA17 , 4M113CA33 , 4M113CA34 , 4M113CA35 , 4M113CA43

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

トンネル接合超伝導素子、磁気センサ、メモリ及びスイッチング素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-000086 Applicant：経済産業省産業技術総合研究所長
特開平2-153580
超伝導体ロジックの移相装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-568432 Applicant：ディー-ウェイヴシステムズインコーポレイテッド

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Cited by examiner (8)

トンネル接合超伝導素子、磁気センサ、メモリ及びスイッチング素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-000086 Applicant：経済産業省産業技術総合研究所長
特開平2-153580
特開平2-153580

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