FBAR素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002368701
Publication number (International publication number)：2003318696
Application date： Dec. 19, 2002
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】本発明は、シリコン基板上に絶縁層を形成して活性化領域から発生する信号が基板に伝わるのを遮断することにより挿入損失特性を改善したFBAR素子を提供する。【解決手段】本発明の特定の実施の形態によるFBAR素子においては、メンブレン層56中活性化領域に該当する部分をドライエッチングして部分的に厚さを縮減させることにより共振周波数を調整でき伝達利得を向上させ得る。さらに、本発明は、かかるFBAR素子の製造方法ばかりでなく、犠牲層53をポリシリコンから構成しドライエッチングによりエアギャップ(A3)を形成することで通常のウェットエッチングによるエアギャップ形成工程において生じる構造的欠陥を防止できると同時に、バイアホールの形成位置及び数を自在に調節できるFBAR素子の製造方法も提供する。

Claim (excerpt)：

所定の周波数において共振する活性化領域を有するFBAR素子において、基板と、前記基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成されエアギャップを囲むメンブレン支持層と、前記メンブレン支持層上に形成されたメンブレン層と、前記メンブレン層上に形成された第1電極と、前記第1電極上に形成された圧電層と、前記圧電層上に形成された第2電極と、を備えたことを特徴とするFBAR素子。

IPC (6)：

H03H 9/17 , H01L 41/08 , H01L 41/09 , H01L 41/187 , H01L 41/22 , H03H 3/02

FI (6)：

H03H 9/17 F , H03H 3/02 B , H01L 41/08 C , H01L 41/22 Z , H01L 41/08 D , H01L 41/18 101 B

F-Term (5)：

5J108AA02 , 5J108BB07 , 5J108BB08 , 5J108CC11 , 5J108KK01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平1-098311
特開平1-157108
音響共振器とその製作方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-154956 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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