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J-GLOBAL ID：200903035247132744

半導体装置

Inventor：
多田 勇治

About 多田 勇治


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000014373
Publication number (International publication number)：2001210609
Application date： Jan. 24, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：
【要約】【課題】ダイシング工程における不良発生防止とダイシングブレードの寿命が向上できるスクライブ領域保護膜を有する半導体装置を提供する。【解決手段】基板1に設けられた半導体チップ領域10と、この素子領域の周囲に設けられたスクライブ領域20と、これらの領域に順次設けられた層間絶縁膜2a、パッシベーション膜6aおよび保護膜7とを有する半導体装置において、スクライブ領域20の保護膜7を半導体チップ領域10の保護膜7と連続して設け、かつスクライブ領域10の中央線に対して所定の距離で線対称的にパターニングした。その結果、ダイシングブレードへの保護膜の付着抑制と該ブレードの目詰まりが防止でき、ダイシング工程におけるクラック等の不良発生防止とダイシングブレードの寿命を向上できる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に素子が設けられた素子領域と、この素子領域の周囲に設けられたスクライブ領域と、これらの素子領域とスクライブ領域に順次設けられた層間絶縁膜、パッシベーション膜および保護膜とを有する半導体装置において、前記スクライブ領域の前記保護膜が前記素子領域の前記保護膜と連続して設けられ、かつ前記スクライブ領域の中央線に対して所定の距離で線対称的にパターニングされていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/301 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (3)：
H01L 21/312 Z ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/78 L
F-Term (12)：
5F058AD04 ,  5F058AD11 ,  5F058AH01 ,  5F058AH03 ,  5F058AH10 ,  5F058BD07 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BD19 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ03 ,  5F058BJ04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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