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J-GLOBAL ID：200903054559495954

化合物半導体発光素子

Inventor： 波多野 吾紅 ,  大場 康夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994273392
Publication number (International publication number)：1996139361
Application date： Nov. 08, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】【目的】 III-V族化合物としてのGaAlInN系材料を用いて青色域で発光させることができ、かつ製造コストの低減及び発光効率の向上をはかり得るLEDを提供すること。【構成】 青色域で発光する化合物半導体LEDにおいて、石英ガラス基板11上にZnOバッファ層12を介して、n型GaNクラッド層13,GaN発光層14及びp型GaNクラッド層15からなるダブルヘテロ構造部を形成し、かつ発光層14にドナー不純物としてのSeとアクセプタ不純物としてのMgを同時に添加したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

非単結晶基板上に、Gax Aly In1-x-y N(0≦x,y≦1)を構成材料とする、第1導電型クラッド層,発光層及び第2導電型クラッド層からなるダブルヘテロ構造部を形成してなることを特徴とする化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-305257   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開昭57-010280
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-070873   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開昭57-010280