有機半導体用組成物、トランジスタの製造方法、アクティブマトリクス装置の製造方法、電気光学装置の製造方法および電子機器の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：増田達哉 , 朝比一夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006286722
Publication number (International publication number)：2007201418
Application date： Oct. 20, 2006
Publication date： Aug. 09, 2007
Summary：

【課題】保存安定性が高く、特性に優れた有機半導体層を形成することができる有機半導体用組成物、これを用いて製造された信頼性の高いトランジスタを製造可能なトランジスタの製造方法、アクティブマトリクス装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、および、電子機器の製造方法を提供すること。【解決手段】有機半導体用組成物は、チオフェン環とアルキル鎖とを含む有機半導体材料と、シスデカリンを含有する有機溶媒とを含有する。この有機半導体用組成物は、例えば、互いに分離して設けられたソース電極20aおよびドレイン電極20bと、ソース電極20aおよびドレイン電極20bを覆うように設けられた有機半導体層30と、有機半導体層30上に設けられたゲート絶縁層40と、ゲート絶縁層40上に設けられたゲート電極50とを有するトランジスタの有機半導体層30を形成するのに使用される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

少なくとも1つのチオフェン環を含む構造単位を繰り返し単位とする有機半導体材料と、シスデカリンを含有する有機溶媒とを含むことを特徴とする有機半導体用組成物。

IPC (6)：

H01L 51/30 , H01L 51/40 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 21/368 , H01L 21/312

FI (6)：

H01L29/28 250G , H01L29/28 310J , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L21/368 L , H01L21/312 A

F-Term (51)：

5F053AA06 , 5F053DD19 , 5F053FF01 , 5F053HH01 , 5F053HH10 , 5F053PP03 , 5F053RR04 , 5F058AA10 , 5F058AC10 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH04 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG07 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110QQ06 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

有機半導体材料、これを用いた有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-099004 Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社

Cited by examiner (1)

電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-547243 Applicant：アベシア・リミテッド

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