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J-GLOBAL ID:200903035393748803

熱電素子モジュール及びその製法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 河備 健二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001375692
Publication number (International publication number):2003008087
Application date: Dec. 10, 2001
Publication date: Jan. 10, 2003
Summary:
【要約】【課題】 熱効率に優れ、熱電素子モジュールの機械的強度を向上することができると共に、動作信頼性が向上した高性能の熱電素子モジュール及びその製法を提供する。【解決手段】 複数枚の基板を対向して配置すると共に、該対向する複数枚の各基板の対向面にそれぞれ導電性の金属電極を接合又は蒸着し、且つ該金属電極を介して複数のn型及びp型の熱電半導体素子を互に隣り合せて配設してなる熱電素子モジュールにおいて、各熱電半導体素子の間、又は各熱電半導体素子の間及び基板と金属電極との間に生じた空隙に、電気絶縁性及び断熱性を有する熱硬化樹脂、無機質物質、又は発泡体から選ばれる少なくとも1種の充填材を充填することを特徴とする熱電素子モジュール及びその製法などを提供した。
Claim (excerpt):
複数枚の基板を対向して配置すると共に、該対向する複数枚の各基板の対向面にそれぞれ導電性の金属電極を接合又は蒸着し、且つ該金属電極を介して複数のn型及びp型の熱電半導体素子を互に隣り合せて配設してなる熱電素子モジュールにおいて、各熱電半導体素子の間、又は各熱電半導体素子の間及び基板と金属電極との間に生じた空隙に、電気絶縁性及び断熱性を有する熱硬化樹脂、無機質物質、又は発泡体から選ばれる少なくとも1種の充填材を充填することを特徴とする熱電素子モジュール。
IPC (3):
H01L 35/32 ,  H01L 35/34 ,  H02N 11/00
FI (3):
H01L 35/32 A ,  H01L 35/34 ,  H02N 11/00 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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