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J-GLOBAL ID:200903080742008796

熱電変換素子及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高橋 祥泰
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997123574
Publication number (International publication number):1998303472
Application date: Apr. 25, 1997
Publication date: Nov. 13, 1998
Summary:
【要約】【課題】 熱電半導体チップと電極との接合位置ズレ,使用時における熱電半導体チップと電極との接合信頼性優れ,かつ発熱,冷却効果に優れた熱電変換素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 相対向して配設された一対の熱交換基板210,220と,該熱交換基板の内側面にそれぞれ設けた複数の電極21,22と,上記一対の熱交換基板210,220の各電極21,22の間に隣り合って配置され,上記電極によって直列接続された,P型熱電半導体チップ11とN型熱電半導体チップ12とよりなる熱電変換素子において,上記熱電半導体チップ11,12の間には合成樹脂よりなる樹脂部3を設けてなり,かつ該樹脂部3と上記熱交換基板210,220との間には空隙部31を設けてなること。
Claim (excerpt):
相対向して配設された一対の熱交換基板と,該熱交換基板の内側面にそれぞれ設けた複数の電極と,上記一対の熱交換基板の各電極の間に隣り合って配置され,上記電極によって直列接続された,P型熱電半導体チップとN型熱電半導体チップとよりなる熱電変換素子において,上記熱電半導体チップの間には合成樹脂よりなる樹脂部を設けてなり,かつ該樹脂部と上記熱交換基板との間には空隙部を設けてなることを特徴とする熱電変換素子。
IPC (2):
H01L 35/32 ,  H01L 23/28
FI (2):
H01L 35/32 A ,  H01L 23/28 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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