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J-GLOBAL ID：200903035467113600

III族窒化物発光素子

Inventor： 大内 洋一郎 ,  岡川 広明 ,  只友 一行 ,  渡部 信一
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996222848
Publication number (International publication number)：1997129926
Application date： Aug. 23, 1996
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】 III族窒化物発光素子中でのドーパントの拡散を抑制し、素子の性能低下を防ぐこと。【解決手段】 ダブルヘテロ構造の窒化ガリウムなどのIII族窒化物の発光素子において、p型クラッド層と活性層との間に拡散抑制層を設けることを特徴とする。【効果】 高輝度で長寿命の発光素子が得られる。

Claim (excerpt)：

ダブルヘテロ構造のIII族窒化物発光素子において、p型クラッド層と活性層との間に拡散抑制層を有することを特徴とするIII族窒化物発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-092017   Applicant：豊田合成株式会社
• AlGaInP半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-020245   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-265696   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-094239   Applicant：松下電器産業株式会社