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J-GLOBAL ID：200903035565695774

半導体装置の製造方法

Inventor：
和田 茂己

About 和田 茂己


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999115061
Publication number (International publication number)：2000307002
Application date： Apr. 22, 1999
Publication date： Nov. 02, 2000
Summary：
【要約】【課題】 絶縁膜に形成されたスルーホールやゲート開口を所望の金属で十分に埋め込むことができ、高い信頼性を有する半導体装置を歩留まり良く作製可能な製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に形成した絶縁膜に開口を形成する工程と、前記開口内表面および前記絶縁膜上に第1の金属膜を形成する工程と、前記開口を埋め込むように第1の金属膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記開口外のレジスト膜が感光し前記開口内のレジスト膜が感光しない露光量にて露光し、現像する工程と、少なくとも前記開口外の第1の金属膜が除去されるまで前記開口内に残ったレジスト膜をマスクとして第1の金属膜をエッチングする工程と、前記開口内に残存したレジスト膜を除去した後、前記開口を埋め込むように第2の金属膜を形成する工程を実施する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成した絶縁膜に開口を形成する工程と、前記開口内表面および前記絶縁膜上に第1の金属膜を形成する工程と、前記開口を埋め込むように第1の金属膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記開口外のレジスト膜が感光し前記開口内のレジスト膜が感光しない露光量にて露光し、現像する工程と、少なくとも前記開口外の第1の金属膜が除去されるまで前記開口内に残ったレジスト膜をマスクとして第1の金属膜をエッチングする工程と、前記開口内に残存したレジスト膜を除去した後、前記開口を埋め込むように第2の金属膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
FI (4)：
H01L 21/90 B ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 21/302 M ,  H01L 29/80 B
F-Term (85)：
4M104BB28 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD13 ,  4M104DD16 ,  4M104DD18 ,  4M104DD37 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104FF07 ,  4M104GG12 ,  4M104HH13 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BD01 ,  5F004DA01 ,  5F004DA11 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB10 ,  5F004DB17 ,  5F004DB20 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27 ,  5F004EA10 ,  5F004EA19 ,  5F004EA23 ,  5F004EA38 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F033GG02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033HH28 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ28 ,  5F033KK07 ,  5F033KK13 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK23 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033NN03 ,  5F033NN05 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN11 ,  5F033NN30 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ17 ,  5F033QQ23 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR08 ,  5F033RR29 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033VV06 ,  5F033XX02 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GS02 ,  5F102GS04 ,  5F102GT05 ,  5F102HC11 ,  5F102HC18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 半導体装置とその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-253836   Applicant：ソニー株式会社
  • 特開平1-175245
  • 特開平2-054927
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