多層配線半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤巻正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998126399
Publication number (International publication number)：1999330234
Application date： May. 08, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 HSQの比誘電率が低く、配線容量を低減することができる多層配線半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】配線間を埋める層間絶縁膜としてフッ化水素のエッチング作用又はフッ素を含有する不純物のイオン注入によりポーラス化された水素化シルセスキオキサン膜10,21を有する。

Claim (excerpt)：

配線間を埋める層間絶縁膜としてフッ化水素のエッチング作用によりポーラス化された水素化シルセスキオキサン膜を有することを特徴とする多層配線半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/768 , H01L 21/312 , H01L 21/316

FI (4)：

H01L 21/90 M , H01L 21/312 B , H01L 21/316 P , H01L 21/90 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

線間容量を低減するための多孔質誘電体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-166762 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-193901 Applicant：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-030667 Applicant：日本電気株式会社

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