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J-GLOBAL ID：200903035613836164

磁気抵抗効果素子及びその製造方法

Inventor： 鎌田 親義 ,  岸 均
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000092227
Publication number (International publication number)：2001283412
Application date： Mar. 29, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 本発明は磁気抵抗効果膜を保護するキャップ保護膜の腐蝕により端子電極間の抵抗が増加することがなく高感度なオーバーレイド構造とした磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 磁気抵抗変化を利用して磁気的信号を電気的信号に変える磁気抵抗効果膜の両端部に電極端子膜が一部重なるように配置されているオーバーレイド構造の磁気抵抗効果素子であって、前記磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜を保護するキャップ保護膜と、該キャップ保護膜を保護する導電性の導体保護膜とを含んでいる。

Claim (excerpt)：

磁気抵抗変化を利用して磁気的信号を電気的信号に変える磁気抵抗効果膜の両端部に電極端子膜が一部重なるように配置されているオーバーレイド構造の磁気抵抗効果素子であって、前記磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜を保護するキャップ保護膜と、該キャップ保護膜を保護する導電性の導体保護膜とを含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (4)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R

F-Term (10)：

2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017CA12 ,  2G017CB28 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BA17 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 薄膜デバイス及び薄膜デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-137010   Applicant：松下電器産業株式会社
• 薄膜磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-092567   Applicant：松下電器産業株式会社
• リードヘッド素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-031331   Applicant：富士通株式会社
• 磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-123797   Applicant：日本電気株式会社